Pour ce faire, les MDmesh V du franco-italien tirent le plus grand profit d’un nouveau boîtier de puissance conjointement développé avec Infineon. En optant pour un nouveau boîtier baptisé PowerFLAT 8×8 HV, STMicroelectronics a amélioré la densité de puissance de ses Mosfet en technologie MDmesh (multiple drain mesh) de cinquième génération.
Rappelons que cette dernière exploite un principe propriétaire basé sur un drain réparti selon des bandes verticales dopées p. Une approche qui a pour effet d’améliorer la tenue en tension des transistors, tout en abaissant leur résistance à l’état passant.
Ce boîtier PowerFLAT 8×8 HV, de 8 mm de côté pour 1 mm d’épaisseur seulement, a été développé conjointement avec Infineon. Cette dernière société l’exploite d’ailleurs sous la dénomination ThinPAK 8×8 pour ses CoolMOS 600 V.
Le premier Mosfet MDmesh V de ST tirant profit de ce boîtier de faible facteur de forme est un modèle 650 V/17 A estampillé STL21N65M5. Celui-ci est caractérisé par un RDS(on) de 190 mOhms et une résistance thermique jonction-boîtier de 1 °C/W.
