A taille de puce donnée, le dernier transistor bipolaire de puissance en boîtier SOT-23 de ST affiche une capacité en courant accrue de quelque 50 %. STMicroelectronics a introduit le premier membre d’une famille de transistors bipolaires de puissance cumulant une capacité en courant accrue, une tension de blocage élevée et une tension de saturation très faible.
Pour ce faire, une nouvelle technologie planar à deux couches de métallisation a été mise en œuvre afin de pratiquement doubler la densité des cellules, et ce sans faire usage d’équipement de photolithographie sophistiqué.
Ce transistor, référencé 3STR1630, est un modèle NPN de 30 V encapsulé dans un boîtier plastique SOT-23. Son VCE(sat) est typiquement compris entre 60 mV et 240 mV, pour des courants de collecteur de 1 A à 5 A.
Par quantité de 1000 pièces, le 3STR1630 est proposé à 0,24 $. Il trouvera son juste emploi dans les convertisseurs DC-DC et les circuits de commande de moteurs ou de LED.
