La famille STripFET VII DeepGATE vient compléter le portefeuille de Mosfet de puissance de la société. Ces transistors sont caractérisés par une forte densité de puissance, une résistance à l’état passant très basse et une robustesse accrue. STMicroelectronics annonce l’introduction d’une nouvelle génération de Mosfet de puissance dont l’ambition est de réduire l’impact sur l’environnement des équipements utilisés dans une multitude de secteurs : l’informatique, les télécommunications, l’automatisation industrielle, les énergies renouvelables, l’automobile.

A cet effet, ces transistors STripFET VII DeepGATE affichent de faibles pertes, tant en conduction qu’en commutation.
Ils font appel à une structure de grille optimisée afin de réduire la résistance à l’état passant, la capacité interne et la charge de grille.
Par ailleurs, les nouveaux venus affichent une excellente robustesse afin de résister aux fortes pointes de tension affectant les systèmes alimentés sous 48 V.
Une quinzaine de composants couvrant la plage 80 V à 100 V sont disponibles sous la forme d’échantillons et en différents boîtiers (TO-220, DPAK, PowerFLAT, H²PAK).