Ces Mosfet de la famille SuperMESH 5 sont des modèles de 850 V, 900 V et 950 V (une première pour un Mosfet à super-jonction), affichant un facteur de mérite très bas. STMicroelectronics annonce une famille de produits de puissance qui devraient permettre aux entreprises de satisfaire aux critères de consommation et de rendement énergétique de plus en plus sévères stipulés par les standards d’éco-conception. Mais aussi de faciliter le développement d’applications (micro-onduleurs solaires, onduleurs photovoltaïques, véhicules électriques…) reposant sur l’exploitation d’une énergie « propre ».
Parmi ces nouveaux composants figurent des Mosfet à super-jonction aptes à supporter des tensions crête de 950 V, mais aussi des modèles 900 V à fort rendement et 850 V en boîtier PowerFLAT 8×8 HV à faible encombrement.
Des versions 800 V devraient ensuite les rejoindre.
Tous ces transistors sont les premiers membres de la famille SuperMESH 5 (de cinquième génération) de la société. Les références en question sont les STx21N90K5 (900 V, à faible RDS(ON) de 299 mOhms), STx20N95K5 (950 V, RDS(ON) de 330 mOhms) et STx6N95K5 (950 V, à faible facteur de mérite).
Différentes options de boîtiers (TO-220, TO-220FP, TO-247, D²PAK, voire DPAK et IPAK) sont proposées.
La variante STL23N85K5 (850 V) en boîtier CMS de type PowerFLAT 8×8 se contente pour sa part de 64 mm² sur la carte. Soit une empreinte de 56 % inférieure à celle affichée par un boîtier standard D²PAK, pour une hauteur bien moindre (le gain est ici de 77 %).
Tous ces produits sont d’ores et déjà disponibles. Par quantité de 1000 pièces, les prix unitaires s’échelonnent entre 3,5 $ et 10 $.
