
En pratique, les MSP430FR57xx intègrent jusqu’à 16 Ko de Fram, qui sert de mémoire unifiée (plus besoin d’Eeprom interne ou externe) même si une petite portion de Sram reste présente pour abaisser encore la consommation du circuit. Celle-ci ne dépasse pas 100 µA/MHz en mode actif et 3 µA en mode veille avec horloge temps réel activée. Pour autant, précise Texas Instruments, il ne s’agit pas de remplacer tous les microcontrôleurs flash du texan par des modèles Fram : ces derniers ne sont en effet économiquement viables (ie. fabricables à des prix voisins des modèles flash) que jusqu’à des densités de 128 à 256 Ko pour l’instant, en technologie Cmos 130 nm. Mais les cellules Fram présentent l’avantage de suivre plus facilement les réductions de géométrie de fabrication que les cellules flash…