Réalisé selon le procédé UMOS8 de la société, le TK100S04N1L en boîtier DPAK+ est crédité d’une résistance à l’état passant de 2,4 mOhms à 100 A. A destination du secteur automobile, Toshiba Electronics Europe inaugure une nouvelle famille de Mosfet avec un modèle à grille en tranchée, affichant une faible résistance à l’état passant ainsi qu’une capacité d’entrée réduite.
Réalisé selon le procédé UMOS8 de la société, ce transistor 40 V canal N, référencé TK100S04N1L, est ainsi crédité d’une RDS(on) de 2,4 mOhms à 10 V/100 A. Soit une baisse de 22 % par rapport aux Mosfet de même calibre en courant issus du catalogue du japonais.
Qualifié AEC-Q101, le TK100S04N1L fonctionne jusqu’à 175 °C, alors que sa résistance thermique jonction-boîtier est de 1,5 °C/W. Il est proposé dans un boîtier DPAK+, dont le facteur de forme est identique au traditionnel DPAK.
