La société lance une famille de Mosfet de puissance, à canal N ou à canal P, dans un format de boîtier DPAK+ à résistance thermique améliorée. Pour les applications automobiles, Toshiba Electronics Europe annonce une nouvelle gamme de Mosfet de puissance en tranchée durcis. Dans leur boîtier DPAK+, dont le facteur de forme est identique à celui d’un DPAK traditionnel, ces transistors tirent profit d’une technologie d’encapsulation améliorée dite WARP.
L’absence de fils de connexion en aluminium se traduit ici par une diminution de la résistance (au mieux 2,4 mOhms à VGS=10 V) et des inductances parasites.
La famille se compose de 11 modèles canal N dont la tenue en tension est de 40 V, 60 V ou 100 V et de 10 modèles canal P en versions -40 V et -60 V. Quant aux calibres en courant, ils s’étagent entre ±8 A et ±80 A. Typiquement, la résistance thermique jonction-boîtier est de 1,5 °C/W.
Compatibles au niveau de l’empreinte et du brochage avec leurs prédécesseurs en boîtiers DPAK, tous ces Mosfet sont conçus pour fonctionner jusqu’à une température de jonction de +175 °C. Ils trouveront leur place dans les régulateurs et convertisseurs DC-DC à découpage, ainsi que dans les topologies de commande de moteurs.
