Le japonais augmente de 75 % le courant à l’état passant de son transistor nanowire, pilier de ses futures technologies de fabrication de circuits intégrés. Toshiba continue de plancher sur des transistors tridimensionnels remplaçant les structures planaires actuelles. Le japonais cherche ainsi des alternatives pour ses technologies 16 nm et moins.

En améliorant son transistor de type nanowire, Toshiba a réduit la résistance parasite et augmenté de 75 % le niveau de courant à l’état passant (1 mA/µm). L’objectif est de réduire les fuites de courant devenues rédhibitoires avec les structures planaires traditionnelles. Ces travaux seront présentés le 17 juin à Hawaï lors du symposium VLSI Technology.