Le japonais démarre la production en volume de puces Nand miniatures à 2 bits par cellule, et planche sur des modèles à 3 bits par cellule. Toshiba s’apprête à démarrer la production en volume de mémoires flash Nand dans une technologie 19 nm de seconde génération. Sont concernées des mémoires de 64 Gbits à 2 bits par cellule, occupant une surface de 94 mm². Ces puces supportent une vitesse d’écriture de 25 Mbit/s. Le japonais développe également des modèles à 3 bits par cellule dans la même technologie, attendus pour le second trimestre de son exercice fiscal. Ces mémoires 3 bits pour smartphones et tablettes seront associées à un contrôleur compatible eMMC, puis seront déclinées en version PC avec un contrôleur de disque dur SSD.