Ces IGBT avec diode interne sont destinés à la commande moteur, aux onduleurs solaires et aux alimentations UPS. Toshiba Electronics Europe introduit sa sixième génération d’IGBT offrant un meilleur compromis entre les pertes de commutation et les pertes de conduction.
Ces IGBT sont des versions 600 V destinés à une large palette d’applications à commutation dure, incluant : la commande moteur, les onduleurs solaires et les alimentations secourues (UPS).
Quatre modèles sont d’ores et déjà annoncés : les GT15J341 de 15 A, GT20J341 de 20 A, GT30J341 de 30 A et GT50J342 de 50 A. Tous intègrent une diode à recouvrement rapide entre émetteur et collecteur.
Au courant nominal, le VCE(sat) est typiquement de 1,5 V.
Ainsi, par rapport à leurs prédécesseurs, les GT50J342 et GT30J341 offrent un VCE(sat) inférieur de quelque 30 % à 32 % à 150 °C.
Les pertes en régime de commutation sont également bien moindres : 12 % ou 13 % pour Eon, 26 % ou 33 % pour Eoff.
Les deux premières références indiquées ci-dessus sont proposées un boîtier isolé TO-220SIS, les autres dans un boîtier non isolé TO-3P(N) (équivalent TO-247).
