Réalisés selon le procédé U-MOSVI de la société, les transistors canal P de moyenne puissance de la série SSM3J13xTU visent essentiellement le marché des appareils alimentés sur batterie. Toshiba Electronics Europe introduit une nouvelle génération de Mosfet de moyenne puissance destinés aux applications de gestion d’énergie dans les terminaux mobiles.
Référencés SSM3J133TU, SSM3J134TU et SSM3J135TU, ces transistors sont des modèles canal P affichant des valeurs maximales de courant de drain de -5,5 A, -3,2 A et -3 A, respectivement. Les tenues en tension sont ici de -20 V (VDSS) et de ±8 V (VGSS). Enfin, leur tension de commande peut être de 1,5 V seulement.
A ces références s’ajoute le SSM3J132TU qui présente une résistance à l’état passant de 94 mOhms pour une tension de grille de -1,2 V.
Tous ces Mosfet sont encapsulés dans des boîtiers CMS de 2 x 2,1 mm, pour une hauteur de 0,7 mm seulement. Ils sont susceptibles de dissiper 500 mW, avec un montage sur circuit imprimé FR4 et une surface de cuivre de 645 mm².
