Le japonais ajoute également à sa dernière génération de mémoires non volatiles une fonction de correction d’erreur. Toshiba vient d’introduire sa dernière génération de mémoires flash Nand, les SmartNAND. Ces dernières bénéficient de deux innovations : le passage en technologie Cmos 24 nm et l’ajout d’une fonction de correction d’erreur ECC au sein même de la puce. Cette intégration simplifie d’autant le travail du contrôleur hôte – d’autant plus que les erreurs binaires tendent à se multiplier avec la réduction des géométries de fabrication.
Les SmartNAND 24 nm sont disponibles en densité de 4 à 64 Go. Ces modèles présentent des gains respectifs en vitesse de lecture et d’ecriture de 1,9 et 1,5 par rapport aux modèles actuels du japonais. Ils sont encapsulés en boîtier TSOP ou LGA. La production en volume est prévue, selon les modèles, entre le second et le quatrième trimestre 2011.
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