Afin de répondre à la demande émanant des secteurs industriel et automobile, la société a démarré la production de masse de composants de puissance en carbure de silicium, en l’occurrence des diodes Schottky de 650 V. En prévision d’une forte demande émanant des secteurs industriel et automobile, Toshiba a démarré la production de masse de composants de puissance en carbure de silicium.
Un marché qui, selon les analystes, devrait être multiplié par dix d’ici 2020 et sur lequel Toshiba entend prendre une part de quelque 30 %.
Dans un premier temps, il sera question de diodes Schottky de 650 V/12 A. Ces TRS12E65C seront fabriquées dans l’usine japonaise d’Himeji de la société.