Le Britannique a développé un circuit test en technologie Cmos/SOI 45 nm. En passant à des substrats silicium sur isolant, il devrait être possible de réduire de 40% la consommation des circuits à génération technologique donnée. ARM vient de le prouver en comparant les consommations de deux processeurs en technologie Cmos 45 nm, l’un sur silicium massif, l’autre sur SOI. De cette comparaison il résulte que, à fréquence égale, le second consomme 40% de moins que le premier tout en étant plus petit de 7%. Il peut par ailleurs tourner à une fréquence maximale supérieure de 20% avec une consommation réduite de 30%.