Les modules d’amplification 5G de NXP adoptent le nitrure de gallium

Le 02/07/2021 à 13:45 par Frédéric Rémond

Le fabricant néerlandais associe dans des modules multipuces d’amplification RF pour infrastructures 5G des composants LDMos, GaN et SiGe. 

NXP Semiconductors échantillonnera au troisième trimestre ses premiers modules multipuces pour infrastructures 5G intégrant des composants en nitrure de gallium (GaN). Issus de l’usine GaN de NXP située dans l’Arizona, ces amplificateurs de puissance RF sont destinés aux étages d’émission-réception de type massive MIMO.
D’après le Néerlandais, l’utilisation de GaN fait grimper le rendement de ces amplificateurs à 52% à 2,6GHz, huit points de mieux que la précédente génération du fabricant. En combinant des transistors GaN et LDMos, NXP assure même obtenir une bande passante instantanée de 400MHz et ouvre la voie à des étages radio large bande architecturés autour d’un seul amplificateur de puissance.
Les nouveaux modules du fabricant comprennent une chaine de transmission à plusieurs étages, des réseaux d’adaptation 50Ohms et un combinateur Doherty, ainsi qu’un bloc de contrôle de polarisation en SiGe.