La très faible RDS(on) des Mosfet NextPowerS3 en boîtiers LFPAK56 et LFPAK33 est obtenue sans compromis sur les paramètres essentiels que sont le courant maximal de drain, l'aire de sécurité et la charge de grille.

Le SIC1182K de la famille " Scale-iDriver" de Power Integrations conviendra aux conceptions d'onduleurs dont la puissance est de plusieurs centaines de kilowatts.

Le double Mosfet SSM6N813R, à haut nivau de protection contre les décharges électrostatiques, est un choix tout indiqué pour piloter les LED des phares automobiles.

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Les derniers Mosfet 40V en boîtier LFPAK33 (3x3mm) de la société affichent une résistance à l'état passant de 3,3mOhms seulement.

Les nouveaux modules Mosfet 1200V de la famille CoolSiC de l'allemand ciblent essentiellement les marchés des alimentations UPS et du stockage de l'énergie.

Les Mosfet de moyenne puissance de 40V et 60V de la famille BUKxxx sont proposés dans un boîtier de type DFN2020, dont les dimensions sont de 2x2mm, permettant l'inspection optique automatique.

Caractérisé par une résistance maximale à l'état passant de 40mOhms, le TK040N65Z inaugure la série DTMOS VI de Mosfet de puissance du japonais.

Ces transistors remplacent avantageusement les Mosfet et les IGBT en silicium pour permettre une commutation ultra-rapide dans les systèmes de conversion d'énergie.

Les Mosfet à superjonction CoolMOS CFD7 de l'allemand succèdent aux CoolMOS CFD2 avec, à la clé, des pertes moindres.

Le TPH1R204PB bénéficies des dernières avancées de la technologie U-MOS-IX-H du japonais. Il convient aux applications nécessitant de faibles niveaux d'IEM.