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Terme Définition
IEGT

Injection Enhancement Gate Transistors. Développé par Toshiba, ce commutateur semiconducteur de forte puissance mixte entre l’IGBT et le GTO, est destiné aux applications de forte puissance avec des tenues en tension de plusieurs kV et en courant de plusieurs centaines d’ampères. Par rapport à l’IGBT, il est caractérisé selon la société par une aire de sécurité et une tenue en court-circuit beaucoup plus grande.

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Composants
Antennes Cornets en Impression 3D Elliptika Propose une gamme d'antennes cornets en impression 3D de la bande S à la bande Ka permettant [...]
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