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Le Fet de puissance en GaN étend son champ d'application

Rédigé par  lundi, 18 novembre 2013 14:12
Le Fet de puissance en GaN étend son champ d'application

EPC a développé une famille de transistors eGaN, conjuguant une faible charge de grille et une résistance à l'état passant très basse. Dernier en date, le modèle de 150 V/12 A estampillé EPC2018 est crédité d'une RDS(on) n'excédant pas 25 mOhms (18 mOhms en valeur typique), pour une tension grille-source de 5 V et un courant de drain de 6 A. La charge totale de grille est quant à elle de 5 nC et 7,5 nC, en valeurs typique et maximale, respectivement. L'absence de charge de recouvrement inverse a pour effet de limiter les pertes en régime de commutation.

Présenté sous la forme d'une puce passivée de faibles dimensions (3,6x1,6 mm), l'EPC2018 cible notamment les alimentations à DC-DC à découpage, les convertisseurs de proximité et les amplificateurs audio en classe D.

Par ailleurs, les Fet haute fréquence en nitrure de gallium de la série EPC8000 affichent en effet des temps de commutation inférieurs à la nanoseconde, autorisant leur usage dans les architectures de conversion DC-DC fonctionnant à des fréquences au-delà de 10 MHz. De surcroît, en mode petit signal, ces transistors conservent un gain suffisant (plus de 21 dB à 1 GHz pour la référence EPC8002) pour intéresser les concepteurs spécialisés dans la RF.

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