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Mémoires flash V-Nand: Samsung n'est plus seul

Rédigé par  lundi, 01 juin 2015 09:18
Mémoires flash V-Nand: Samsung n'est plus seul

En étant le premier fabricant à industrialiser et commercialiser des mémoires flash Nand à empilement vertical, Samsung s'était donné une longueur d'avance sur ses concurrents dans la course à la densité. Mais il n'est plus seul sur ce créneau.

Micron et Intel, associés sur le marché des mémoires flash, viennent ainsi d'annoncer le développement de leur propre mémoire V-Nand. Basée sur une cellule à grille flottante (contrairement à Samsung qui préfère une architecture à capture de charge) et à niveau double (MLC) ou triple (TLC), cette mémoire empile 32 couches pour une capacité de 256Gbits en MLC ou 384 Gbits en TLC, ce qui permet de réaliser des disques durs SSD 2,5 pouces de plus de 10 To.

Pour sa part, Toshiba, qui collabore avec SanDisk dans ce secteur, a présenté une mémoire Nand tridimensionnelle qu'il baptise BiCS (pour Bit Cost Scalable ). Le japonais y empile pas moins de 48 couches de cellules mémoires, une première dans l'industrie, pour un modèle à deux bits par cellule de 128 Gbits.

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