Electroniques.biz

La semaine dernière a été marquée par la publication des prévisions de IHS Markit pour le marché mondial des semi-conducteurs. Ce dernier devrait croître globalement de 15,8% en 2018 pour atteindre 498 milliards de dollars d’ici la fin de l’année, et de 8,7% hors mémoires. La progression devrait être moindre au cours des deux prochaines année avec une augmentation de 4,4% et 4,3% en 2019 et 2020, respectivement, prévoit le cabinet d'études.

L'actualité a également été fournie du côté des entreprises. Nous retiendrons en particulier le lancement par Lucibel de sa 2è génération de produits Li-Fi (Light Fidelity, solution d’accès à internet par la lumière), issue d’un développement avec son partenaire écossais pureLiFi ; l'acquisition par Micron de la part d'Intel dans IM Flash, société commune de mémoires flash ; l'ouverture de négociations entre Ekinops et Nokia en vue de l'acquisition d'Alcatel Submarine Networks ; et la création par Alstom, IGE+XAO et Safran d'un centre d'excellence dédié aux systèmes électriques ferroviaires à Toulouse.

 

Publié dans Editos

Micron vient d'annoncer son intention d'acquérir la part d'Intel dans leur entreprise commune IM Flash Technologies L’acquisition permettra à Micron de diriger seul la R&D et la fabrication des produits en technologie 3D XPoint, sur le site de production de cette société basée dans l'état de l’Utah, aux Etats-Unis.

Publié dans Vie des entreprises

C’est, en tout cas, ce que prévoit le président du fabricant de mémoires flash Macronix International.

Publié dans Conjoncture

Les investissements en fabrication de mémoires Dram et Sram devraient progresser de 53% en 2017 par rapport à 2016. Et une hausse de 33% est prévue pour les investissements en mémoires flash, selon IC Insights.

Publié dans Conjoncture

Selon le Nikkei, Toshiba n’aurait reçu que cinq offres alors qu'il en attendait une dizaine.

Publié dans Vie des entreprises

Ce distributeur commercialise maintenant les mémoires non volatiles du fabricant taïwanais.

Publié dans Vie des entreprises

En étant le premier fabricant à industrialiser et commercialiser des mémoires flash Nand à empilement vertical, Samsung s'était donné une longueur d'avance sur ses concurrents dans la course à la densité. Mais il n'est plus seul sur ce créneau.

Micron et Intel, associés sur le marché des mémoires flash, viennent ainsi d'annoncer le développement de leur propre mémoire V-Nand. Basée sur une cellule à grille flottante (contrairement à Samsung qui préfère une architecture à capture de charge) et à niveau double (MLC) ou triple (TLC), cette mémoire empile 32 couches pour une capacité de 256Gbits en MLC ou 384 Gbits en TLC, ce qui permet de réaliser des disques durs SSD 2,5 pouces de plus de 10 To.

Pour sa part, Toshiba, qui collabore avec SanDisk dans ce secteur, a présenté une mémoire Nand tridimensionnelle qu'il baptise BiCS (pour Bit Cost Scalable ). Le japonais y empile pas moins de 48 couches de cellules mémoires, une première dans l'industrie, pour un modèle à deux bits par cellule de 128 Gbits.

A découvrir dans le numéro de mai de notre magazine "ElectroniqueS".

Publié dans Composants

Ces suppressions de postes représentent 50% de l'effectif des activités de Micron en Italie.

Publié dans Vie des entreprises

Le sud-coréen inaugure la production en volume de mémoires flash Nand tridimensionnelles, plus robustes et rapides que les modèles planaires actuels : une innovation majeure, susceptible d'assurer l'avenir technologique des mémoires non volatiles.

Publié dans Composants
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