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Oeuvre de Qorvo, le transistor RF de puissance QPD1025 est également caractérisé par un rendement supérieur aux LDMOS en silicium.

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Oeuvre du californien Integra Technologies, le transistor Hemt IGT5259L50 délivre 50W crête entre 5,2 et 5,9 GHz.
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Les premiers membres de la famille Airfast 3 sont quatre LDMOS pour stations de base cellulaires. Par rapport à leurs prédécesseurs, ils affichent un rendement accru, une bande passante élargie, des performances thermiques améliorées et une empreinte réduite.

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Une offre déclinée en différents modèles de 15 à 600W crête, destinés à couvrir les principales bandes de fréquence cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz.

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Conçu pour la réalisation d'amplificateurs de puissance fonctionnant entre 1,8 et 500MHz, le dernier LDMOS de NXP Semiconductors est susceptible de délivrer jusqu'à 1500W sous 50V.

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Conçus pour couvrir les bandes cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz, ces transistors en GaN de quatrième génération offrent notamment des gains en rendement et en bande passante par rapport aux LDMOS.

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Proposés dans des boîtiers économiques, les transistors de puissance RF de la série BLP05H6xxxXR couvrent la gamme 35W à 700W.

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Au nombre de dix, les transistors de puissance RF de la famille CLF1 couvrent la plage 10W à 200W.

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Affichant une tenue en tension de 100V, le DMN10H120SFG de Diodes conjugue une faible résistance à l'état passant et un facteur de forme limité.

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Les 2SA1943N (canal P) et 2SC5200N (canal N) sont encapsulés dans un boîtier TO-3P(N), dont les dimensions sont de 15,9x40,5x4,8mm.

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