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L'allemand propose désormais des diodes Schottky CoolSiC 1200V de cinquième génération en boîtier TO-247-2, offrant une distance d'isolement de 8,7mm.

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La société annonce la mise en production de 35 Mosfet 700V et diodes Schottky 700V/1200V en carbure de silicium.

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Les diodes haute tension C5D de l'américain sont destinées aux systèmes de charge des véhicules électriques, aux alimentations à découpage, aux onduleurs solaires et éoliens.

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La société complète ainsi son portefeuille de produits SiC, qui comprend déjà des diodes Schottky de 1200V et des Mosfet.

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Par rapport au boîtier USC traditionnel, une nouvelle conception a permis de réduire la résistance thermique pratiquement de moitié. Le courant inverse a été également abaissé.

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L'américain annonce de nouvelles diodes Schottky de 650V et 1200V en carbure de silicium, qualifiées AEC-Q101 pour l'environnement automobile.

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Il est ici question de diodes Schottky "CoolSiC" de cinquième génération améliorées, et ce afin de répondre aux exigences de fiabilité caractérisant le monde de l'industrie automobile.

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L’américain lance une série de diodes Schottky SiC de 650V couvrant la plage 6A à 50A. Les versions sont proposées en boîtiers CMS ou à broches traversantes.

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Le remplacement des diodes bipolaires classiques par les dernières diodes Schottky SiC GEN2 de la société a pour effet de diminuer drastiquement les pertes en régime de commutation.

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Par rapport à la génération précédente de diodes Schottky CoolSiC 650V de l'allemand , le facteur de mérite a été amélioré de 17%.

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