La résistance du Mos 30V devient presque négligeable

Le 15/10/2009 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Plusieurs fabricants viennent de proposer des transistors Mos combinant un boîtier de l’encombrement d’un SO-8 et une résistance à l’état passant sous la barre du mΩ. La gestion d’énergie est une problématique aiguë dans les applications portables où le moindre watt dépensé provient d’une batterie d’accumulateurs dont les performances en matière de densité d’énergie stockée

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