Passifs : un boîtier mince pour semiconducteurs RF de puissance

Le 04/06/2009 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Le californien StratEdge vient de présenter un boîtier en oxyde de béryllium destiné aux composants radiofréquences de forte puissance du type amplificateurs en nitrure de gallium, carbure de silicium ou arséniure de gallium. Il offre une conductivité thermique de 270 W/m. K avec une base circulaire de 5,1 mm de diamètre en oxyde de béryllium. Il

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