Couverture ElectroniqueS n°127

Dans une ère ou l'économie est devenue le maître mot, l'électronique de puissance permet de gagner en rendement, qu'il s'agisse d'améliorer la commande d'un moteur industriel ou l'efficacité d'une installation de production d'énergie renouvelable. Nuremberg : la dernière édition du salon européen de l'électronique de puissance PCIM Europe 2009, qui s'est tenue du 12 au 14 mai dernier à Nuremberg, a rassemblé comme à l'accoutumée, une grande partie des acteurs européens et même mondiaux du domaine. Longtemps focalisé sur les très fortes puissances, telles celles déployées dans un laminoir industriel, un train ou une centrale de production d'énergie, ce salon et la conférence technique dont il est indissociable ont rassemblé un peu toutes les problématiques qui concernent la gestion d'énergie, de quelques watts pour alimenter de petits circuits, à plusieurs centaines de watts pour de petits systèmes, voire quelques mégawatts pour l'industrie ferroviaire ou les installations de production d'énergie renouvelable. Les modules multiniveaux visent un rendement de 99 %Chez ABB Semiconductor, la principale annonce réside dans l'augmentation de ses capacités de production avec l'extension de son usine pour la partie bipolaire comme Bimos qui devrait être opérationnelle début 2010. La société a également dévoilé un module HiPak 1 200 A/4 500 V en IGBT SPT+ et une double diode 650 A/4 500 V. Vincotech, société en pleine croissance dans le domaine du module de puissance, a cette année encore présenté de nombreux produits dont des modules mélangeant IGBT, Cool-Mos et diodes SiC avec des modèles multiniveaux dont le rendement vise 99 %. Elle propose notamment un système permettant de fixer simplement le module de puissance sur un circuit imprimé, « press fit », afin de simplifier la fabrication. Malgré sa simplicité, il est possible de passer 30 A par broche à une température de dissipateur de 80°C. Un système que l'on retrouve dans une version sans doute un peu différente chez Infineon Technologies. La structure de son module « press fit » est conçue de telle manière que le vissage du module sur le dissipateur, qui bloque également les contacts sur le circuit imprimé, n'entraîne pas de contraintes mécaniques fortes sur le substrat cuivre céramique, susceptibles de le casser. Pour sa part, l'américain Fairchild Semiconductor a mis l'accent sur l'éclairage à DEL, avec un circuit référencé FSEZ1016A associant Mos de puissance et circuit de commande PWM régulant au primaire et pour de plus fortes puissances le FAN100. De son côté, Mitsubishi a dévoilé sa sixième génération d'IGBT en tranchée aux pertes réduites de 20 % par rapport à la génération précédente en fonctionnement sinusoïdal, ainsi que des modules intégrés pour PFC et commande de moyenne puissance, dotés d'un système de réduction des perturbations au niveau du circuit d'attaque des IGBT de puissance. Une participation à PCIM 2009 qui n'a pas fait défautMalgré la crise généralisée de l'industrie, la plupart des grandes sociétés du semiconducteur, mais aussi des composants passifs et des services ont fait le déplacement sur PCIM 2009 : 253 exposants et 64 sociétés représentées dont vingt exposant pour la première fois. Quelques grands absents tout de même.En termes de fréquentation, les organisateurs annoncent près de 6 000 visiteurs, ce qui est à quelques pour-cent près assez proche de l'audience de l'an passé.Du côté des conférences, l'intérêt ne semble pas faiblir, avec de très nombreuses présentations, d'universitaires, mais aussi de laboratoires de recherche communs entre universités et industriels et de sociétés sur des composants innovants, des systèmes aux rendements exceptionnels et des techniques pour demain.Outre l'exposition et la conférence scientifique, les visiteurs pouvaient profiter d'un forum où les exposants avaient toute latitude pour présenter leurs produits, et où deux tables rondes se sont déroulées, l'une sur les matériaux semiconducteurs pour le haut rendement en puissance, l'autre sur les conceptions d'électronique de puissance pour l'écologie et le succès économique. Les semiconducteurs composés sur le point d'entrer en scèneCette année encore, les annonces ont été nombreuses en composants à PCIM. Comme souvent, toutefois, les plus importantes sont celles que l'on peut déceler sous-jacentes aux conférences techniques qui se tiennent en parallèle du salon. Cette année une session intitulée « Wide Bandgap Materials and Devices » a ainsi regroupé les grands industriels du secteur que sont Cree Research, International Rectifier, Infineon, Mitsubishi pour faire le point sur les dernières évolutions en matière de transistors de puissance en semiconducteurs composés, des transistors sur le point de faire leur entrée en scène (voir notre dossier en page 24). Sur le salon, la société américaine SemiSouth a, elle, présenté ce qu'elle considère comme le premier transistor de puissance SiC normalement ouvert, un transistor prêt à entrer en production. Ainsi, après les diodes Schottky en carbure de silicium de plus en plus utilisées pour augmenter les rendements, le transistor idéal à très faible perte ne semble plus très loin.

Le rendement maximal mobilise l’électronique de puissance

Couverture ElectroniqueS n°127

IBM grave les premières puces en 2 nm en abandonnant les FinFET

Zeta, le protocole LPWAN made in China, arrive en Europe

Harting invente le connecteur électronique sur mesure

Le rendement maximal mobilise l’électronique de puissance

Dans la même rubrique

Couverture ElectroniqueS n°127

IBM grave les premières puces en 2 nm en abandonnant les FinFET

Zeta, le protocole LPWAN made in China, arrive en Europe

Harting invente le connecteur électronique sur mesure