NXP promet la densité de puissance du bipolaire en transistors LdMos

Le 15/01/2009 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

NXP propose avec sa dernière génération de transistors LdMos pour radars, une densité de puissance qui atteindrait celle des transistors bipolaires avec un rendement exceptionnel. Celle des modèles pour stations de base devrait également progresser de 20 %.

Dans le domaine des amplificateurs radiofréquences, la course au rendement maximal n’est pas terminée. Et la pression sur

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap