Infineon Technologies annonce la production en volume d’un commutateur RF réalisé selon un procédé Cmos sur tranche de silicium. Selon la société, vis-à-vis des produits GaAs actuels, aucun compromis sur les performances n’a été fait.

Il est des domaines où l’arséniure de gallium règne encore en maître. Ainsi en est-il de la fonction de commutation

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