Le projet européen Dotfive, coordonné par STMicroelectronics vient de tenir sa réunion de lancement à Paris. Il vise le développement de transistors SiGe fonctionnant à 0,5 THz.

Le projet Dotfive n’a qu’une ambition : développer des transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) silicium-germanium, pouvant fonctionner jusqu’à une fréquence de 500 GHz à température ambiante, alors que la limite actuelle

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