Accueil » Archives » Revue ElectroniqueS » Le ferroélectrique avenir des mémoires NAND?

Le ferroélectrique avenir des mémoires NAND?

Le 07/07/2008 à 12:22 par Françoise Grosvalet

C’est en tout cas l’avis de deux chercheurs japonais qui ont mis au point une cellule mémoire NAND à base de transistors à effet de champ à …

C’est en tout cas l’avis de deux chercheurs japonais qui ont mis au point une cellule mémoire NAND à base de transistors à effet de champ à

…

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.
Connectez-vous
Abonnez-vous

Share via
Facebook
X (Twitter)
LinkedIn
Mix
Email
Print
Copy Link
Powered by Social Snap
Copy link
CopyCopied
Powered by Social Snap