Le ferroélectrique avenir des mémoires NAND?

Le 07/07/2008 à 12:22 par Françoise Grosvalet

C’est en tout cas l’avis de deux chercheurs japonais qui ont mis au point une cellule mémoire NAND à base de transistors à effet de champ à …

C’est en tout cas l’avis de deux chercheurs japonais qui ont mis au point une cellule mémoire NAND à base de transistors à effet de champ à

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