Une technologie de transistor silicium innovante pour la puissance RF?

Le 06/05/2008 à 12:23 par Youssef Belgnaoui

La société de développement HVVi Semiconductor a développé une structure de transistors baptisée High Frequency High Voltage Vertical Field Effect Transistor sur silicium, qui permettrait, selon ell…

La société de développement HVVi Semiconductor a développé une structure de transistors baptisée High Frequency High Voltage Vertical Field Effect Transistor sur silicium, qui permettrait, selon elle, de

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap