Vers des capteurs d’images sans silicium ?

Le 28/02/2008 à 0:00 par Frédéric Rémond

Rohm a développé un prototype de capteur d’images basé sur une structure CIGS (cuivre-indium-gallium-sélénium) bas coût habituellement utilisée pour la fabrication de cellules photovoltaïques…

Si le silicium continue de constituer un matériau semiconducteur abordable, en particulier si on le compare aux alternatives dites III-V comme l’arséniure de gallium (GaAs), il demeure tout de même bien

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