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Première flash NAND 16Gbits à 3bits par cellule

Le 07/02/2008 à 15:26 par Françoise Grosvalet

Toshiba et SanDisk s’apprêtent à lancer la production en volume d’une mémoire flash NAND 16Gbits en technologie Cmos 56nm faisant appel à un…

Toshiba et SanDisk s’apprêtent à lancer la production en volume d’une mémoire flash NAND 16Gbits en technologie Cmos 56nm faisant appel à une architecture de cellule multiniveaux (MLC) originale. Cette NAND 16Gbits,

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