Pluie de transistors de puissance GaN au salon européen des micro-ondes

Le 01/11/2007 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Sorti depuis peu des laboratoires de recherche, le transistor de puissance en nitrure de gallium a été l’une des stars du salon EuMW qui s’est tenu à Munich du 8 au 12 octobre derniers. Il promet forte puissance, haute tension et haute fréquence dans des boîtiers plus petits que ceux de son homologue en arséniure de

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