Circuits numériques : bientôt des DRAM plus denses et plus économiques grâce au SOI

Le 06/09/2007 à 0:00 par Françoise Grosvalet

Le Coréen Hynix Semiconductor, deuxième fournisseur mondial de mémoires Dram, vient d’acquérir la licence de la technologie de mémoire Ram ultradense de la société américano-suisse Innovative Silicon (ISi) (voir par exemple EI n° 638). Développée à l’origine pour les mémoires embarquées, cette technologie, appelée Z-Ram, exploite, rappelons-le, un effet parasite du SOI pour créer une cellule

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