ESD9X3.3S, ESD9X5.0S et ESD9X12S d’On Semiconductor
Ces diodes de protection contre les décharges électrostatiques sont encapsulées dans un boîtier 38 % plus petit que le précédent modèle de la société.
Tenue en tension : 3,3 V à 12 V
Temps de réponse inférieur à 1 ns
Niveau de protection IEC61000-4-2 niveau 4
Dimensions : 1 x 0,6 x 0,43 mm
Rens. : www.onsemi.com
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