Les deux sociétés ont signé un accord de coopération portant sur le développement d’un procédé de fabrication Cmos haute tension. Les travaux viseront à combiner les savoir-faire de l’américain et de l’autrichien, en matière de technologie Cmos RF 0,18 µm pour le premier, de circuits haute tension pour le second. La mise en production des premiers

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