Vers des flash NAND 64 Gbits en technologie 30 nm

Le 14/06/2007 à 14:52 par Françoise Grosvalet

Samsung a décrit lors du symposium sur la technologie des circuits intégrés (Symposium on VLSI Technology), qui se tient du 12 au 16 juin à …

Samsung a décrit lors du symposium sur la technologie des circuits intégrés (Symposium on VLSI Technology), qui se tient du 12 au 16 juin à Kyoto, une technologie 30nm

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap