ZXTC2045E6 de Zetex
Ce boîtier combine deux transistors bipolaires complémentaires pour gagner, selon la société, en rendement de conversion d’énergie dans la fonction de commande de transistors Mos de puissance ou d’IGBT.
Tenue en tension : 40 V
Tenue en courant : 5 A crête
Gain : 300
Emetteurs séparés NPN et PNP pour permettre
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