Après Samsung, SanDisk et Toshiba s’apprêtent eux aussi à échantillonner des mémoires flash NAND 16Gbits en technologie Cmos avancée (56nm d…
Après Samsung, SanDisk et Toshiba s’apprêtent eux aussi à échantillonner des mémoires flash NAND 16Gbits en technologie Cmos avancée (56nm dans leur terminologie). Ces mémoires à cellules multiniveaux (MLC) seront disponibles en volume dans
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