Samsung Electronics vient de lancer l’échantillonnage des premières mémoires flash NAND 16 Gbits du marché.
En technologie Cmos 50 nm, ces flash, à architecture MLC (cellules multiniveaux), devraient être disponibles en volume avant la fin du premier trimestre 2007. Elles sont organisées en pages de 4 Ko contre 2 Ko habituellement, ce qui, selon la société coréenne, permet de
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
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