FGA25N120ANTD de Fairchild Semiconductor
Les compromis entre pertes par commutation et par conduction de cet IGBT ainsi que sa tenue en avalanche ont été optimisés pour les applications de l’électroménager.
Tension de déchet : 2 V à 25 A et 25 °C
Perte par commutation : 0,96 mJ à 25 A et 25 °C
Tenue en avalanche : 450 mJ
Diode à recouvrement rapide intégrée
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