Les derniers transistors bipolaires silicium radio-fréquences de l’Américain Advanced Power Technology atteignent une puissance de 250 W sur la bande L, entre 1 480 MHz et 1 650 MHz, pour les applications de radars pulsés.

Ces transistors sont conçus pour des émissions de 250 µs avec un rapport cyclique de 10 %. Le rendement mesuré au collecteur du transistor atteint 40 %, le

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