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Destinés aux radiotéléphones 3G, les derniers-nés des modules à mémoires empilées de STMicroelectronics incluent, dans un boîtier BGA de 10 x 13,5 x 1,2 mm, jusqu’à 1 Gbit de mémoire NAND et 512 Mbits de
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L'AMÉRICAIN EST LE PREMIER À FAIRE LA DEMONSTRATION DE CIRCUITS INTÉGRÉS GRAVES EN PROCESS 2 nm, GRÂCE À UNE TECHNOLOGIE…
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UN CONNECTEUR SUR MESURE CONSTITUÉ DE BLOCS ÉLEMENTAIRES (PUISSANCE, SIGNAUX OU DONNÉES) ASSEMBLÉS SUR UN RAIL : C'EST CE QUE…
