Semiconducteurs : Sematech va étudier le passage à des tranches de silicium de 450 mm à l’horizon 2012

Le 31/01/2006 à 14:08 par Elisabeth Feder

L’organisation internationale Sematech vient de démarrer un projet dédié à la prochaine génération de tranches de silicium dont le diamètre…

L’organisation internationale Sematech vient de démarrer un projet dédié à la prochaine génération de tranches de silicium dont le diamètre pourrait être de 450 mm. Dans le cadre de ce projet, des partenaires industriels regroupés

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