Plusieurs sociétés spécialistes des semiconducteurs de puissance viennent d’étendre leur gamme de transistors Mos avec des modèles pouvant atteindre 60 % d’amélioration de leur résistance à l’état passant.

A l’image des technologies de transistors Mos de puissance dévoilées par Infineon fin 2000 pour les modèles fortes tensions, qui ont fait chuter la résistance à l’état passant

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