Alors qu’IBM vient d’annoncer un doublement des performances sur tranches de son procédé de fonderie silicium-germanium, Infineon commercialise un transistor SiGe : C fonctionnant jusqu’à 10 GHz.
Le fabricant allemand Infineon vient de présenter sous la référence BFP740 un transistor discret caractérisé par un niveau de bruit de 0,75 dB à 6 GHz, un record mondial pour un composant
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