Semiconducteurs : la lithographie en immersion sera qualifiée pour la production en 2006

Le 26/09/2005 à 14:29 par Elisabeth Feder

La lithographie 193 nm en immersion sera le process de choix pour passer aux prochaines étapes technologiques de production de semiconducteu…

La lithographie 193 nm en immersion sera le process de choix pour passer aux prochaines étapes technologiques de production de semiconducteurs avec des motifs de 65 nm puis de 45 nm (“ half-pitch ”).

Cet article n'est pas accessible publiquement.
Connectez-vous pour accéder à ce contenu.

Copy link
Powered by Social Snap