Semiconducteurs : des motifs de 32 nm sont réalisables grâce à la lithographie en immersion

Le 14/09/2005 à 15:20 par Elisabeth Feder

La lithographie en immersion va permettre de réaliser des semiconducteurs ayant des structures de 32 nm (largeur et espacement) avec des équ…

La lithographie en immersion va permettre de réaliser des semiconducteurs ayant des structures de 32 nm (largeur et espacement) avec des équipements de projection fonctionnant à une longueur d’onde de 193 nm. C’est

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