Triquint obtient 15,8 M$ pour améliorer ses composants en GaN

Le 24/03/2005 à 0:00 par Youssef Belgnaoui

Le fabricant américain de composants radiofréquences Triquint Semiconductor vient de signer un contrat avec la Darpa pour le développement d’amplificateurs de puissance très large bande en nitrure de gallium. Une première phase de trois ans, financée à hauteur de 15,8 millions de dollars, sera consacrée à développer le matériau et des composants l’utilisant avec certains

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