Comme prévu (voir notre numéro du 30 septembre 2004), la jeune pousse américano-suisse Innovative Silicon vient de révéler les premiers détails sur sa technologie de mémoire destinée à l’intégration de Dram dans les systèmes sur une puce. Cette technologie, appelée Z-Ram pour Zero Capacitor Ram, permet de doubler la densité d’intégration sans changer la géométrie.

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